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适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术

Image-reversal dual layer photolithography technology for thick film lift-off

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【作者】 郭喜支淑英杨春莉巩爽

【Author】 GUO Xi,ZHI Shu-ying,YANG Chun-li,GONG Shuang(North China Research Institute of Electro-optics,Beijing 100015,China)

【机构】 华北光电技术研究所

【摘要】 介绍了一种适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术,采用图形反转胶和正型光刻胶,选择合适的光刻工艺形成了光刻胶"倒梯形"的剖面结构,可以成功剥离与胶层厚度相同的膜层,厚度可达13μm。同时对一些技术机理和关键工艺条件进行了讨论。

【Abstract】 The paper introduced the image-reversal dual layer photolithography technology that is suitable for thick film lift-off.The reverse trapeziform shape of resist was made by coating a image-reversal resist layer on a thicker positive resist layer,this technology can achieve the 13 μm thick film lift-off without high edge.And some mechanism problems are discussed.

  • 【文献出处】 激光与红外 ,Laser & Infrared , 编辑部邮箱 ,2010年03期
  • 【分类号】TN205
  • 【被引频次】5
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