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耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管

1200 V-5 A 4H-SiC JBS Diode Working at 250℃

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【Author】 NI Weijiang LI Yuzhu LI Zheyang LI Yun CHEN Chen CHEN Xiaojian(national Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules, Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

【机构】南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室；

【关键词】肖特基二极管；器件性能；封装材料；直流特性；外延材料；电力电子器件；高热导率；电子漂移；势垒；热偶；

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of SSE Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2010年02期

【分类号】TN311.7
【被引频次】3
【下载频次】133

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