电化学沉积制备的Cu(In,Ga)Se_2薄膜性能研究-中国学术期刊网络出版总库

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电化学沉积制备的Cu(In,Ga)Se_2薄膜性能研究

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【下载频次】	★★★★☆
【作者】	杨亮; 周丽梅; 敖建平; 孙国忠; 何青;
【作者单位】	大连交通大学材料学院; 南开大学光电子薄膜与器件研究所;
【文献出处】	化学工程与装备 , Chemical Engineering & Equipment, 编辑部邮箱 2010年 04期期刊荣誉：ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	电沉积; Cu(In; Ga)Se2; 物理气相法(PVD); 太阳电池;
【摘要】	采用电沉积制备出成分富Cu的Cu(In,Ga)Se2薄膜,将薄膜在Se气氛中退火后采用物理气相法(PVD)沉积少量的In、Ga调整薄膜成分。通过不同测试手段分析了薄膜的成分、表面状况、结晶质量以及制备的太阳电池性能参数。结果表明,硒化后的CIGS薄膜成分贫Cu,表面光滑无裂纹,晶粒尺寸增加,结晶度提高,形成单一的黄铜矿结构,制备的电池效率达到6.89%。
【基金】	国家高技术发展计划“863”项目的资助项目编号:2006AA03Z217,2004AA513021
【更新日期】	2010-07-02
【分类号】	TB383.2
【正文快照】	前言研究开发低成本的太阳电池,是目前能源领域的一个重大课题[1]。Cu(In,Ga)Se2(简称CIGS)是一种直接带隙半导体材料,吸收系数高,稳定性好,是制备低成本高效薄膜太阳电池最有前途的材料之一,制备方法主要有共蒸发法[2]、溅射硒化法[3]、电沉积法[4]和丝网印刷法[5]等。其中蒸?

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