节点文献
离子注入制备Si基InAs量子点
【摘要】 利用离子注入法在Si(001)片上先后注入了In+和As+,注入剂量为1.5×1017cm-2,注入能量分别为210和150keV,然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料,用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了材料的截面像。
【基金】 国家自然科学基金资助项目(10775106和60676036)
- 【文献出处】 大众科技 ,Popular Science & Technology , 编辑部邮箱 ,2010年05期
- 【分类号】O611.4
- 【下载频次】57