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XeF2对SiO2/Si的干法刻蚀
SiO2/Si dry etching with XeF2
【摘要】 XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体,可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体,其对硅刻蚀特性呈现各向同性.研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,刻蚀系统简单且操作容易.利用该系统成功地刻蚀出"蘑菇状"的SiO2/Si结构,得到的刻蚀选择比大于1000.
【Abstract】 XeF2 can react with silicon in room temperature and be used as silicon dry etching gas,it is a kind of isotropic dry etching. A XeF2 pulse etching system with simple structure and easy operating has been constructed to perform SiO2/Si etching. With this system,the mushroom-like SiO2/Si structure has been fabricated,and the etching selectivity between silicon and silica mask exceed 1 000.
【关键词】 XeF2；
硅刻蚀；
各向同性干法刻蚀；
光学微腔；
【Key words】 XeF2； silicon etching； isotropic dry etching； optical microcavity；
【Key words】 XeF2； silicon etching； isotropic dry etching； optical microcavity；
【基金】 国家大科学工程(NSRL二期工程);国家自然科学基金(60537020,60121503);中国科学技术大学青年基金(KA2310000007)资助
- 【文献出处】 中国科学技术大学学报 ,Journal of University of Science and Technology of China , 编辑部邮箱 ,2009年06期
- 【分类号】TN305.7
- 【被引频次】8
- 【下载频次】447