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低介电氧氮化硅陶瓷的研制
Preparation of Low-Dielectric Si2N2O Ceramic
【摘要】 以氮化硅为主体,外加二氧化硅,研制低密度、高强、低介电的氧氮化硅陶瓷材料。通过分析材料烧结体的XRD物相图、材料的各项性能、材料的显微结构,得出二氧化硅含量对材料性能的影响规律,从而确定了材料最佳配方。
【Abstract】 With Si3N4as the main body,and inaddition SiO2 to prepare low-density,high-strength,low-dielectric oxygen nitride material.By analyzing the XRD phase diagram of material sinter,material’s properties,material’s microstructure to drag the impact law of the SiO2 content to the material properties,and to determine the best material formula.
【关键词】 氮化硅；
氧氮化硅；
介电常数；
介电损耗；
【Key words】 Si3N4； Si2N2O； oxygen nitride dielectric constant； dielectric loss；
【Key words】 Si3N4； Si2N2O； oxygen nitride dielectric constant； dielectric loss；
- 【文献出处】 现代技术陶瓷 ,Advanced Ceramics , 编辑部邮箱 ,2009年01期
- 【分类号】TQ174.7
- 【被引频次】5
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