节点文献

半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究

Ultrafast rising of output electric impulse of lock-on model of semi-insulated GaAs photoconductive switches

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 施卫屈光辉王馨梅

【Author】 Shi Wei Qu Guang-Hui Wang Xin-Mei(Department of Physics,Xi’an University of Technology,Xi’an 710058,China)

【机构】 西安理工大学物理系

【摘要】 利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度;2)光激发电荷畴在被阳极吸收的过程中,光电导开关偏置电压的快速下降能促进电流上升速度.光激发电荷畴的形成和吸收两大过程共同作用下,形成了电脉冲的超快上升特性.

【Abstract】 In the lock-on model of semi-insulating GaAs photoconductive switches,the output current pulse has ultra-fast rise character,the rise time can be even less than that of the laser pulse.Fluid model is used to simulate the transport of photo-induced carrier.The results show that photo-activated charge domain formed in the transport process of carriers is the main cause of ultra-fast rise time.Further studies on the establishment of photo-activated charge domain and the absorption process show:1.The photo-activated charge domains during the establishment enhance the electron density gradient.2.When the photo-activated charge domains are absorbed by the anode,rapid decline of bias electric voltage will accelerate the rise rate of output current pulse.Due to the two processes,the output current pulse in the lock-on model shows ultra-fast rise character.

【基金】 国家自然科学基金(批准号:50837005,10876026);国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310406);西安理工大学优秀博士论文基金资助的课题~~
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2009年01期
  • 【分类号】TN25
  • 【被引频次】12
  • 【下载频次】398
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络