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基于金属氧化物薄膜的电阻式非挥发性随机存储器
【摘要】 电脉冲触发的可逆电阻开关效应(resistive switching)的电阻式随机存储器(ReRAM)是下一代高速高密度非挥发性随机存储器的强有力的竞争者之一.ReRAM具有制备工艺简单,读写速度快,存储密度高,非挥发性以及与硅集成电路工艺兼容性好等优势,与其他形式的存储器相比具有非常明显的优势和十分巨大的应用潜力.ReRAM存储器的结构十分简单,为两层金属薄膜中间夹一层绝缘层的三明治结构,中间的绝缘层一般为金属氧化物薄膜.当在这样的ReRAM存储器两端施加一个电压脉冲时,根据脉冲的高度、宽度和极性,ReRAM器件中绝缘层的电阻率可以发生几个数量级的可逆变化,即ReRAM的电阻可在高阻态和低阻
- 【文献出处】 无机材料学报 ,Journal of Inorganic Materials , 编辑部邮箱 ,2009年04期
- 【分类号】TP333
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