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半导体桥长宽比对其发火性能的影响

Influence of Ratio of Length to Width of Semiconductor Bridge on Its Firing Performance

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【作者】 周彬秦志春毛国强

【Author】 ZHOU Bin,QIN Zhi-chun,MAO Guo-qiang(School of Chemical Engineering,NUST,Nanjing 210094,China)

【机构】 南京理工大学化工学院

【摘要】 该文研究了电容放电发火条件下,半导体桥长宽比对其发火的临界电压、发火时间以及发火所消耗的能量等性能参数的影响规律,借助于半导体桥的等离子体发火机理对实验结果进行了分析。结果表明:在半导体桥质量、掺杂浓度相同的条件下,长宽比对半导体桥的发火临界电压影响较小;而半导体桥的发火时间随着长宽比的增加而减小,发火所消耗的能量随着长宽比的增加降低。

【Abstract】 Firing by capacitance discharge,the influence of the ratio of length to width of the semiconductor bridge(SCB) on its electro-explosive performances,such as critical firing voltage,function time and energy consumption,is investigated.The plasma function mechanism of SCB is used to explain the experimental results.For the SCB with same mass and impurity concentration,the ratio of length to width just shows a little influence on the critical firing voltage,while the function time and the energy consumption decreases with the increase of the ratio of length to width.

  • 【文献出处】 南京理工大学学报(自然科学版) ,Journal of Nanjing University of Science and Technology(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,2009年02期
  • 【分类号】TN303
  • 【被引频次】32
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