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SiO2薄膜热应力模拟计算

SIMULATION OF THERMAL STRESS IN SiO2 THIN FILM

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【作者】 吴靓臻唐吉玉马远新孔蕴婷文于华陈俊芳

【Author】 WU Liang-zhen1,TANG Jie-yu1*,MA Yuan-xin2,KONG Yun-ting1,WEN Yu-hua1,CHEN Jun-fang1(1.School of Physics and Telecommunication Engineering,South China Normal University,Guangzhou 510631,China;2.Section of Physics,Medical University of Xinjiang,Urumqi 830054,China)

【机构】 华南师范大学物电学院新疆医科大学物理教研室

【摘要】 薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.该文采用有限元模型对S iO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.计算了薄膜热应力的大小和分布,分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋势图,对薄膜现实生长具有一定的指导意义.

【Abstract】 The internal stress in thin film affects the application of thin film strongly.The finite element modeling method was used to simulate the thermal stress in SiO2 thin film,and the rationality of the model was proved.The film thermal stress on the size and distribution was calculated,and different results were obtained by changing the growth temperature,the film thickness and the fundus thickness,respectively.The result was in a good agreement with the theory.

【关键词】 热应力SiO2薄膜有限元模拟
【Key words】 thermal stressSiO2 thin filmfinite elementsimulation
【基金】 国家自然科学基金资助项目(10575039)
  • 【文献出处】 华南师范大学学报(自然科学版) ,Journal of South China Normal University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2009年01期
  • 【分类号】O484.2
  • 【被引频次】20
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