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量子阱LD有源区量子阱数目的优化设计

Optimization Design of Quantum Wells Number in Active Cavity of Quantum Well LD

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【作者】 成强孙寅聪敖天勇王渊旭张德权

【Author】 Cheng Qiang1,Sun Yincong2,Ao Tianyong1,Wang Yuanxu1,Zhang Dequan3(1.School of Physics and Electronics,Henan University,Kaifeng 475004,Henan China;2.Energy Research Institute Co Ltd,Henan Acaclemy of Science,Zhengzhou 450008,China;3.Henan Academy of Sciences,Zhengzhou 450002,China)

【机构】 河南大学物理与电子学院河南省科学院能源研究所有限公司河南省科学院

【摘要】 采用直观的载流子、光子库模型,导出半导体激光器速率方程,得到输入电流、输出光功率的关系以及激光器腔体参数与注入电流的关系,从而给出在设计激光器时遇到的相关限制的方程,以及LD电流与某种形式的电流增益转换因子的关系,根据增益曲线上的最佳工作点来优化有源区量子阱数目.给出了共面量子阱LD在固定有源长度、固定无源区长度的共面量子阱激光器的量子阱数目优化方案.

【Abstract】 The relationship between laser cavity parameter and the injection current can be obtained based on input current and output light power of Laser Diode(LD),and then the relative limited equation of LD design,i.e.,the relationship between LD current and conversion factor of current gain,is given accordingly.The number of quantum wells is optimized according to the optimal point of the gain curves.Optimized scheme of the number of quantum wells of coplanar quantum wells LD is given in the condition of fixed active cavity length and the inactive cavity length.

【基金】 河南省科技厅基础前沿计划(082300410010)
  • 【分类号】TN248.4
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