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CD-AFM在45nm节点半导体芯片检测过程中的应用

CD-AFM application in 45 nm node of semiconductor metrology

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【作者】 殷伯华初明璋林云生韩立

【Author】 YIN Bo-hua,CHU Ming-zhang,LIN Yun-sheng,HAN Li(Institute of Electrical Engineering,CAS,Beijing 100190,China)

【机构】 中国科学院电工研究所

【摘要】 本文介绍了关键尺寸原子力显微镜(CD-AFM)在半导体芯片制造中的应用。通过对比现有的半导体检测仪器与原子力显微镜的工作原理和检测方法,详细探讨了原子力显微镜在目前的半导体芯片45nm节点工艺关键尺寸检测中的优势地位。根据芯片在线关键尺寸检测的具体要求,提出了原子力显微镜急待解决的相关研究内容。

【Abstract】 In this study,critical dimensions atomic force microscopy(CD-AFM) is introduced in 45 nm node of semiconductor metrology application. We compared the metrology methods used in semiconductor production line and CD-AFM techniques,and draw a conclusion that CD-AFM can provide promising resolutions for 3D metrology in various steps of semiconductor IC fabrication process in 45 nm node. According to online metrology requirements of IC,we bring forward several urgency research problems.

【关键词】 关键尺寸原子力显微镜扫描电子显微镜3D图像
【Key words】 CDAFMSEM3D
【基金】 中国科学院仪器研制与改造项目
  • 【文献出处】 电子显微学报 ,Journal of Chinese Electron Microscopy Society , 编辑部邮箱 ,2009年02期
  • 【分类号】TN407
  • 【被引频次】6
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