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20W X波段GaN MMIC的研究

Research and Complement on 20 W X-Band GaN MMIC

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【作者】 张志国； 王民娟； 冯志红； 周瑞； 胡志富； 宋建博； 李静强； 蔡树军；

【Author】 Zhang Zhiguo,Wang Minjuan,Feng Zhihong,Zhou Rui,Hu Zhifu,Song Jianbo,Li Jingqiang,Cai Shujun(The National Key Lab.of ASIC,The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China)

【机构】 专用集成电路国家级重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所；

【摘要】 GaN微波单片集成电路(MMIC)具有高工作电压、高输出功率、频带宽、损耗小、效率高、体积小、抗辐照等特点,具有诱人的应用前景,成为国内外许多研究机构研究热点。与GaAs微波功率器件不同,AlGaN/GaN HEMT具有更高的功率密度,因此可以大大节约芯片尺寸;具有高的阻抗特性,更利于电路的匹配。功率MMIC就其电路形式而言分为共面波导和微带电路两种,本文研制的GaN MMIC采用微带电路形式。利用国产的SiC衬底,使用MOCVD自主技术20W X波段GaN MMIC的研究@张志国$专用集成电路国家级重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所!石家庄050051@王民娟$专用集成电路

【关键词】 微带电路； 芯片尺寸； 微波功率器件； 共面波导； 频带宽； AlGaN； 研究机构； MOCVD； 输出功率； 功率密度；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2009年08期
  • 【分类号】TN45
  • 【被引频次】12
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