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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法

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【英文篇名】	Principle and Solution of Sidewall Attack Defect in Al-Cu Interconnect Process
【下载频次】	★★☆
【作者】	施海铭; 汪辉; 李化阳; 林俊毅;
【英文作者】	Shi Haiming1; 2; Wang Hui1; Li Huayang2; LingJunyi2(1.School of Microelectronics; Shanghai JiaoTong University; Shanghai 200240; China; 2.Etching Engineering; Shanghai Grace Semiconductor Manufacture Corporation; Shanghai 201203; China);
【作者单位】	上海交通大学微电子学院; 上海宏力半导体制造有限公司蚀刻工程部;
【文献出处】	半导体技术 , Semiconductor Technology, 编辑部邮箱 2009年 06期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	Al-Cu互连; 侧壁孔洞缺陷; θ相Al2Cu光刻胶清洗;
【英文关键词】	Al-Cu interconnect; sidewall attack defect; θ phase Al2Cu photo resist striping;
【摘要】	侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原电池反应导致Al被腐蚀而在互连导线侧壁生成孔洞。通过对光刻胶去除工艺温度以及湿法清洗工艺中有机溶液的水含量控制可以抑制这种缺陷产生,从而减少电迁移,并且提高芯片的可靠性。
【英文摘要】	Sidewall attack is one of the main defects in Al-Cu interconnect process.This defect will cause EM issue,and reduce the reliability of device.During plasma PR striping process θ phase Al2Cu granule form in the metal line surface due to precipitate and rapid diffusion under certain temperature.Then defects come into being because of galvanic effect during the process of post-etch wet clean with solvent.This defect can be eliminated by controlling temperature of PR strip process and water percentage of solven...
【基金】	国家自然科学基金(NSFC60606015); 上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
【更新日期】	2009-06-29
【分类号】	TN405.97
【正文快照】	0引言随着特征尺寸的不断缩小,金属互连导线的电阻也随之变大,而且电迁移现象也越来越严重,由此带来一系列速度、功耗及可靠性问题,所以如何选择新材料以降低电阻成为互连工艺必须考虑的一个关键问题。常温下Al的电阻率为2.94×10-5Ω.cm,Cu的电阻率为1.85×10-5Ω.cm,因此Cu互

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