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锆钛酸铅薄膜化学刻蚀技术研究

Study on Chemical-Etching of Lead Zirconate Titanate Thin Films

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【Author】 YANG Yan,LIU Jin-song,ZHANG Shu-ren,ZAI Ya-hong(State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology,Chengdu 610054,China)

【机构】电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054；四川成都610054；

【摘要】介绍了一种刻蚀效果良好的应用于铁电存储器(FeRAM)的PZT薄膜的化学湿法化学刻蚀方法。采用典型的半导体光刻工艺,通过研究不同的刻蚀剂对PZT薄膜的化学刻蚀效果表明,利用BOE/HNO3/CH3COOH/HCl/NH4Cl/EDTA刻蚀液刻蚀PZT薄膜可得图形质量及铁电性能良好的铁电电容,能满足铁电存储器对铁电薄膜微图形化要求。更多还原

【Abstract】 In this work,a novel wet-etch patterning of PZT films for the FeRAM application is studied.The influences of the different etchant compositions on etching effects were analyzed.The results show that PZT film etched by the concentration BOE/HNO3/CH3COOH /HCl/NH4Cl/EDTA can obtain exact figure and good ferroelectric property.Therefore this method can satisfy the micro-patterned requirement of ferroelectric films.更多还原

【关键词】锆钛酸铅；化学刻蚀；铁电性能；
【Key words】 PZT； chemical-etching； ferroelectric property；

【基金】国家安全重大基础研究基金资助项目(51310Z)

【文献出处】压电与声光 ,Piezoelectrics & Acoustooptics , 编辑部邮箱 ,2008年02期

【分类号】TN305.7
【被引频次】9
【下载频次】223

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