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纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜光致发光谱钉扎和缺陷分布研究

Study of photoluminescence pinning and defect shapes from Si-containing silicon oxide films

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【作者】 魏晋军马书懿孙小菁徐小丽

【Author】 WEI Jin-jun1,MA Shu-yi2,SUN Xiao-jing2,XU Xiao-li2(1.Zhixing College of Northwest Normal University,Lanzhou 730070,Gansu,China;2.College of Physics and Electronic Engineering,Northwest Normal University,Lanzhou 730070,Gansu,China)

【机构】 西北师范大学知行学院西北师范大学物理与电子工程学院

【摘要】 采用磁控溅射法制备了纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜,测试了其光致发光谱,发现其发光强度不仅是纳米硅晶粒尺寸的函数,而且与纳米硅晶粒和二氧化硅间的比例关系有关.实验证实,钉扎现象是由于存在于纳米硅晶粒与非晶态外部介质界面间的发光中心所致,发光中心在界面处的分布并不均匀.

【Abstract】 Si-containing silicon oxide films is prepared by magnetron sputtering,and its photoluminescence is tested.The results show that the intension is related with the crystal grain dimension and the proportion of crystal grain and silicon oxide.It is also approved that photoluminescence pinning are caused by the illuminant centre existing in the interface,and the distribution of defect shapes are asymmetrical.

【基金】 国家自然科学基金资助项目(60276015);甘肃省自然科学基金资助项目(0710RJZA105);甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(KF-05-03)
  • 【文献出处】 西北师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Northwest Normal University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,2008年05期
  • 【分类号】O484.41
  • 【被引频次】1
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