甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究-中国学术期刊网络出版总库

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甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究

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【英文篇名】	Research on the high-rate deposition of μc-Si:H by VHF-PECVD
【下载频次】	★★★★★
【作者】	郭学军; 卢景霄; 陈永生; 张庆丰; 文书堂; 郑文; 申陈海; 陈庆东;
【英文作者】	Guo Xue-Jun Lu Jing-Xiao Chen Yong-Sheng Zhang Qing-Feng Wen Shu-TangZheng Wen Shen Chen-Hai Chen Qing-Dong(Key Laboratory of Materials Physics of Ministry of Education; Zhengzhou University; Zhengzhou 450052; China);
【作者单位】	郑州大学材料物理教育部重点实验室;
【文献出处】	物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2008年 09期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊中国期刊方阵 CJFD收录刊
【中文关键词】	微晶硅薄膜; 高速沉积; 甚高频化学气相沉积;
【英文关键词】	microcrystalline silicon films; high-rate deposition; very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition;
【摘要】	采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图.以0.75nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜,并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池.
【英文摘要】	The μc-Si:H films were deposited by VHF-PECVD,the effects of silane concentration,power density,deposition pressure and total flow rate on the deposition rate and crystallization of μc-Si:H were extensively studied.Phase diagram in the plot of deposition pressure against power was determined.The deposition rate of μc-Si:H has reached 0.75?nm/s.Incorporating such μc-Si:H films as i-layer,the single-junction solar cell on glass substrate showed an conversion efficiency of 5.5%.
【基金】	国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题~~
【更新日期】	2008-09-25
【分类号】	O484.1
【正文快照】	1·引言微晶硅具有较高的光吸收系数和很好的光稳定性,目前广泛应用于硅基薄膜太阳电池.然而,微晶硅是间接带隙半导体,作为硅薄膜太阳电池的本征层时,为了保证充分的光吸收,厚度一般要求1—2μm.传统的RF-PECVD沉积速率只有1/s左右,仅沉积本征层就需要1·4—2·8 h,因而实现微?

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