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外磁场对(Ga,Mn)As有效g因子的影响

Effects of external magnetic field on the effective g factor of (Ga,Mn) As

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【作者】 周蓉孙宝权阮学忠甘华东姬扬王玮竹赵建华

【Author】 Zhou Rong Sun Bao-Quan Ruan Xue-Zhong Gan Hua-Dong Ji YangWang Wei-Zhu Zhao Jian-Hua(State Key Laboratory for Superlattices and Microstructure,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室

【摘要】 利用时间分辨Kerr旋光技术测量低温下稀磁半导体Ga0.937Mn0.063As中光注入极化载流子的自旋进动信号,并观察到自旋极化载流子的有效g因子值随外磁场的增强而增大的反常现象.这归结于磁场导致局域化空穴转化为非局域化空穴,从而使自发磁化强度增强,有效g因子值增大.基于此物理图像,进一步给出了(Ga,Mn)As的有效g因子与外磁场的关系式.

【Abstract】 With the help of time resolved magneto-optic Kerr rotation measurements,the optically induced spin precession in heavily doped diluted magnetic semiconductor Ga0.937Mn0.063As was observed.It was found that the effective g factor increases with increasing magnetic field,which is attributed to the magnetic-field-induced increase of the density of the non-localized holes.Those free holes will couple with the localized magnetic ions by p-d interactions,leading to the formation of spontaneous magnetization in Ga0.937Mn0.063As,which in turn to the enhancement of the effective g factor.

【基金】 国家自然科学基金(批准号:10334030,60676054)资助的课题~~
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2008年08期
  • 【分类号】O472
  • 【被引频次】2
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