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一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

Study of conductive property for a N-VDMOS interface trap under X-ray radiation

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【Author】 Tan Kai-Zhou 1)2) Hu Gang-Yi 3) Yang Mo-Hua 1) Xu Shi-Liu 2) Zhang Zheng-Fan 2) Liu Yu-Kui 2) He Kai-Quan 3) Zhong Yi 2) 1)(School of Microelectronics and Solid-state Electronics,University of ElectronicScience and Technology,Chengdu 610054,China)2)(National Labs of Analog Integrated Circuits,Chongqing 400060,China)3)(Sichuan Institute of Solid-State Circuits,Chongqing 400060,China)

【机构】电子科技大学微电子与固体电子学院；中国电子科技集团公司第二十四研究所；模拟集成电路国家重点实验室；模拟集成电路国家重点实验室成都610054 模拟集成电路国家重点实验室；重庆400060；成都610054；

【摘要】利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分辨出来.更多还原

【Abstract】 An N-channel VDMOS I-V curve is measured after X-ray radiation under condition of different power dissipation.It is found that the property of new interface traps induced by X-ray radiation of self-annealing VDMOS sample does not conform to existing theory reasonably well.Based on measured data,we advance the viewpoint that the interface trap has current conductive property besides being charged up,and the conduction is assumed to be the generation or recombination current caused by new interface traps,which can not be simply identified quantitatively from the I-V curve.更多还原

【关键词】界面陷阱；亚阈值电流； X射线辐射； VDMOS；
【Key words】 interface trap； subthreshold current； X-ray radiation； VDMOS；

【基金】国防预研究基金(批准号:41308020413)资助的课题~~

【文献出处】物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2008年03期

【分类号】TN386
【被引频次】3
【下载频次】174

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