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宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备

Fabrication of Wide Band-gap Semiconductor Zn1-xMgxO Thin Film

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【作者】 边楠张晓丹张霞赵颖杨瑞霞

【Author】 BIAN Nan1,2,ZHANG Xiao-dan1,ZHANG Xia1,2,ZHAO Ying1,YANG Rui-xia2(1.Institute of Photo-electronic Thin Film Device and Technique of Nankai University,Tianjin 300071,China;Key Laboratory of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Tianjin,Tianjin 300071,China;Key Laboratory of Photo-electronic Information Science and Technology(Nankai University,Tianjin University),Ministy of Education,Tianjin 300071,China;2.College of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China)

【机构】 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学)河北工业大学信息学院

【摘要】 利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜。所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上。X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化。光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节。

【Abstract】 Zn1-xMgxO based wide band-gap semiconductor thin films were fabricated on glass substrates by ultrasonic spray pyrolysis method.These films have rather high average transmittance over 85% in the visible range.Results of X-ray diffraction(XRD)measurements indicate that all of films exhibit preferred c-axis orientation and also exhibit regular change with different Mg doped ratios.Photoluminescence spectrum(PL)measurements indicate that the ultraviolet emission peak of ZnO thin film occur blue shift,which means that the band gap of Zn1-xMgxO thin film can be tuned.

【基金】 天津市自然科学基金(05YFJMTC01600);天津市重点基金项目(06YFJZJC01700);国家重点基础研究发展计划项目(No.2006CB202602和2006CB202603);国家自然科学基金(No.60506003);南开大学博士启动基金(No.J02031);科技部国际合作重点项目(No.2006DFA62390);国家高技术研究发展计划(No.2007AA05Z436);教育部新世纪人才计划资助的课题
  • 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,2008年06期
  • 【分类号】O484.1
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】124
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