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金属和SiC复合薄膜的应力及应力梯度控制技术

Stress and Stress Gradient Control Technology of Multi-Layer Metal-SiC Thin Film

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【作者】 纪明陈哲田大宇王玮张国炳张海霞

【Author】 JI Ming,CHEN Zhe,TIAN Da-yu,WANG Wei,ZHANG Guo-bing,ZHANG Hai-xia (National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology, Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China)

【机构】 北京大学微电子学研究所微米/纳米加工技术国家重点实验室北京大学微电子学研究所微米/纳米加工技术国家重点实验室 北京100871北京100871

【摘要】 等离子增强化学气相沉积(PECVD)SiC谐振器的制作面临导电和应力及应力梯度控制问题.为了解决导电问题,采用金属W作为导电材料,它耐HF腐蚀,可简化工艺.使W薄膜应力最小的溅射条件为:Ar压力2.0 Pa,功率300 W,反溅射工艺;为了解决应力梯度问题,采用双层金属结构、退火和离子注入3种手段.在离子注入电压120 keV、剂量1.6×1016cm-2、不退火的条件下,可以得到应力梯度最小、结构完好的PECVD SiC谐振器.

【Abstract】 Electric conduction,stress and stress gradient control are two key points in fabricating plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) silicon carbide resonators.Metal tungsten was chosen to solve the first problem with corrosion prevention property in hydrofluoric acid,which can simplify technology process.The match sputtering condition of minimizing the stress of tungsten film was as follow: Argon pressure is 2.0 Pa,power is 300 W,and back sputtering.Annealing,ion-implantation and sputtering two layers of metal films were introduced to release stress gradient in multi-layers.The results show that no annealing,120 keV ion-implantation voltage,1.6×1016 cm-2 dosage are the best technological conditions to fabricate silicon carbide resonators.

【关键词】 SiCW退火离子注入应力应力梯度
【Key words】 silicon carbidetungstenannealingion-implantationstressstress gradient
【基金】 北京市自然科学基金资助项目(4052017);北京市预研基金资助项目(9140A08080206JW0201)
  • 【文献出处】 纳米技术与精密工程 ,Nanotechnology and Precision Engineering , 编辑部邮箱 ,2008年01期
  • 【分类号】TN304
  • 【下载频次】242
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