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300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析
Mathematical Modeling and Analysis of Double-sided Polishing Process for 300 mm Silicon Wafers
【摘要】 建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度。优化四个转速,可以显著改善300mm硅片表面的平整度和局部平整度。
【Abstract】 A motion model based on the analysis of mathematical modeling was established to study motion path in double-sided polishing process for 300 mm silicon wafers.Results showed that rotation speeds had significant impact on the geometry,especially on the site flatness(SFQR).The findings are helpful in optimizing parameters for double-sided polishing of 300 mm silicon wafers.
【关键词】 300mm硅片；
双面抛光；
数学模拟；
轨迹；
平整度；
【Key words】 300 mm silicon wafer； Double-sided polishing； Mathematical modeling； Path curve； Flatness；
【Key words】 300 mm silicon wafer； Double-sided polishing； Mathematical modeling； Path curve； Flatness；
【基金】 国家高技术研究发展(863)计划“十五重大专项”基金资助项目(2002AA3Z1110)
- 【文献出处】 微电子学 ,Microelectronics , 编辑部邮箱 ,2008年03期
- 【分类号】TN304.055
- 【被引频次】19
- 【下载频次】302