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Nb掺杂对Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜微观结构与性能的影响
【摘要】 采用Sol-gel法在p-Si和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3-xNbxO12(BLTN)铁电薄膜,研究了Nb掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明:650℃退火处理的BLTN薄膜具有单一的层状钙钛矿结构,表面平整致密,且为随机取向;Nb掺杂量x在0.06的BLTN薄膜介电与铁电性能优良,剩余极化Pr和Ec分别为21.6μC/cm2和96.8kV/cm,室温下,在测试频率为10kHz时,薄膜的介电常数为386,介电损耗为0.69%。
【基金】 国家自然科学基金资助(50262001)
- 【文献出处】 科技信息(科学教研) ,Science & Technology Information , 编辑部邮箱 ,2008年08期
- 【分类号】O484
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