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GaAs掺杂3d过渡族金属材料的局域电子结构和磁性
【摘要】 运用原子团模型研究了GaAs掺杂3d过渡族金属(Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明这8种掺杂元素的磁矩先增大再减小(按Sc-Ni排列),当Mn被掺杂到GaAs后,磁矩达到极大,且Mn的磁矩在掺杂浓度为1.4%时与实验符合得很好.在包含两个掺杂原子的体系中,掺杂原子之间的耦合形式有明显的变化.对于不同的掺杂元素,掺杂原子和最近邻的As原子之间的耦合形式也有不同的变化.
【基金】 国家自然科学基金(批准号:10347010);新疆大学青年教师科研启动基金资助项目
- 【文献出处】 中国科学(G辑:物理学 力学 天文学) ,Science in China(Series G:Physics,Mechanics & Astronomy) , 编辑部邮箱 ,2008年05期
- 【分类号】O482
- 【被引频次】6
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