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适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究
【摘要】 随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MOS器件的研制及特性分析,为下几代集成电路技术的器件研究提供良好的思路.
【基金】 国家自然科学基金(批准号:60625403);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302701);韩国三星电子公司合作项目资助
- 【文献出处】 中国科学(E辑:信息科学) ,Science in China(Series E:Information Sciences) , 编辑部邮箱 ,2008年06期
- 【分类号】TN43
- 【被引频次】15
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