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GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线在金属镓颗粒上的原位生长及其发光性质
【摘要】 在1050℃氨气和氢气混合气氛中加热金属镓,在镓颗粒表面原位生长出了GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线.利用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物进行了表征,结果表明,所得不同形貌GaN纳米结构均为单晶六方纤锌矿结构,纳米带宽度在20～300nm,长达30μm;纳米环直径在5～8μm;Z字结构纳米线的直径约为160nm.研究了反应温度和时间对产物形貌和结构的影响,提出了不同形貌GaN纳米结构的可能形成机理.从GaN纳米结构的发光光谱中观察到了发光峰位于361nm强的紫外光发光和456nm弱的蓝光发光,这两种发光分别起源于GaN宽带隙带边的激子发射和浅的给体向深的局域受体的跃迁.
【基金】 国家自然科学基金(批准号:20573072);教育部博士点基金(批准号:20060718010)资助项目
- 【文献出处】 中国科学(B辑:化学) ,Science in China(Series B:Chemistry) , 编辑部邮箱 ,2008年03期
- 【分类号】TB383.1
- 【被引频次】2
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