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砷化镓0.25μm PHEMT开关模型研究  
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【英文篇名】 Research on 0.25 μm GaAs PHEMT Switch Model
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【作者】 郑惟彬; 李拂晓; 李辉; 沈亚; 潘晓枫; 沈宏昌;
【英文作者】 ZHENG Weibin1 LI Fuxiao1 LI Hui2 SHENG Ya1 PAN Xiaofeng2 SHENG Hongchang2(1 National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules; Nanjing; 210016; CHN)(2 Nanjing Electronic Devices Institute; CHN);
【作者单位】 单片集成电路与模块国家重点试验室; 南京电子器件研究所;
【文献出处】 固体电子学研究与进展 , Research & Progress of SSE Solid State Electronics, 编辑部邮箱 2008年 03期  
期刊荣誉：ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 砷化镓; 膺配高电子迁移率晶体管; 开关模型;
【英文关键词】 GaAs; PHEMT; swtich model;
【摘要】 借助于传统的FET等效电路模型,给出了0.25μm GaAs PHEMT的开关模型,并在ICCAP和ADS软件中,完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀单掷(SPST)开关的仿真和测试,表明,在0.1～20 GHz的频域内,其开态插入损耗误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于0.3 dB、0.24和0.19;其关态隔离度误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于1.9 dB、0.12和0.08。文中得到的PHEMT开关模型将有助于控制类单片集成电路的研究与开发。
【英文摘要】 Based on the conventional FET equivalent circuit model,this paper proposes the switch model of 0.25 μm GaAs PHEMT,and completes the extraction and optimization of its equivalent circuit parameters.By comparing the measurement and the simulation of the single-pole single-thru(SPST) switch,it is shown that,in the frequency of 0.1GHz to 20 GHz,its insertion loss error and VSWR error of Port1 and Port2 are less then 0.3 dB,0.24 and 0.19 respectively on ON state;its isolation error and VSWR error of Port1 and Po...
【更新日期】 2008-11-21
【分类号】 TN454
【正文快照】 1引言在过去的数十年里,砷化镓微波单片集成电路(G aA sMM IC)以其良好的高频特性、噪声特性和功率特性在军事和民用领域得到了广泛应用。目前,以PHEMT器件为主的MM IC电路正引起人们极大的兴趣[1-2]。在G aA sMM IC电路的发展过程中,器件模型起着极其重要的作用,且在工艺设计?

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