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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

A Internally-matched 280 W SiC Pulsed Power Device for S-band Application

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【Author】 BAI Song WU Peng CHEN Gang FENG Zhong LI Zheyang LIN Chuan JIANG Youquan CHEN Chen SHAO Kai(National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules,Nanjing Electronic Devices Instiute,Nanjing,210016,CHN)

【机构】单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所；单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京； 210016；南京；

【摘要】现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽。SiC MESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一。SiC MESFET器件应用的频率主要在L、S波段,在较低的UHF以及较高的C、X波段的应用研究也有报道。南京电子器件研究所最近研制成功S波段内匹配脉冲功率管,显示了优异的微波功率特性。使用自主的外延工艺技术,在半绝缘4H-SiC衬底上生长了MESFET器件所要求的多层外延结构。器件工艺步骤包括:台面隔离、n+层及沟道层刻蚀、Ni欧姆接触金属化、Ti/Pt/Au肖特基势垒、空气桥连接源电极、SiN介质钝化等。针对S波段大功率应用,采用更多还原

【关键词】脉冲功率； S波段280W SiC；微波功率器件； MESFET；器件工艺；外延结构；半绝缘；场板；功率增益；栅长；

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of SSE Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2008年02期

【分类号】TN43
【被引频次】2
【下载频次】59

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