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AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究

The study of the characteristics of the AlxGa1-xN/AlN superlattice

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【作者】 谢自力； 张荣； 江若琏； 刘斌； 龚海梅； 赵红； 修向前； 韩平； 施毅； 郑有炓；

【Author】 XIE Zi-li1,ZHANG Rong1,JIANG Ruo-lian1,LIU Bin1,GONG Hai-mei2,ZHAO Hong1,XIU Xiang-qian1,HAN Ping1,SHI Yi1,ZHENG You-dou1(1.Physical Department of Nanjing University,Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials,Nanjing 210093,China;2.Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Science,Shanghai 200083,China)

【机构】 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室； 中国科学院上海技术物理研究所； 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室 江苏南京210093； 江苏南京210093； 上海200083；

【摘要】 用MOCVD技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料。研究了AlxGa1-xN/Al N超晶格材料特性。结果表明,缓冲层材料和结构对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响。AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料是一种准二维生长模式。XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性。利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对Al N/Al0.3Ga0.7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93.5%的反射率。

【Abstract】 AlN/Al0.3Ga0.7N superlattices are grown on sapphire(0001) by metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD).The reflectivity,SEM,AFM and XRD data of the AlxGa1-xN/AlN superlattices are presented.The result of atomic force microscopy indicates that the AlN/AlGaN superlattices grow on GaN template under quasi-two-dimensional mode.The superlattice has very smooth surface and the interface was distinct.No cracks are observed in the area of the 2-inch wafer.

【关键词】 MOCVD； 超晶格； AlxGa1-xN/AlN；
【Key words】 MOCVD； superlattices； AlxGa1-xN/AlN；
【基金】 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03A103,2006AA03A118,2006AA03A142);国家科学基金资助项目(6039070,60421003,60676057);教育部重大资助项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050284004)
  • 【文献出处】 功能材料 ,Journal of Functional Materials , 编辑部邮箱 ,2008年05期
  • 【分类号】TB34
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】218
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