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InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析

Stability analysis of InP/InGaAs HBT high-frequency amplifier

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【作者】 吴强； 黄永清； 黄辉； 苗昂； 李轶群； 崔海林； 任晓敏；

【Author】 WU Qiang,HUANG Yong-qing,HUANG Hui,MIAO Ang,LI Yi-qun,CUI Hai-lin,REN Xiao-min(Key Laboratory of Optical Communication and Lightwave Technologies,EMC,Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing 100876,China)

【机构】 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室； 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室 北京100876； 北京100876；

【摘要】 根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致。

【Abstract】 A high-frequency small-signal circuit model is introduced based on HBT.The instability in high-frequency amplifier and the stability method that adopts port-attached resistance are theoretically analyzed based on comment-emitter amplifier using the above model.The range of resistance can quickly be obtained by matlab,and the theoretical analysis is in good agreement with the simulation.

【关键词】 异质结双极晶体管(HBT)； 小信号电路模型； 晶体管高频放大器； 稳定性；
【Key words】 HBT； small-signal circuit model； transistor high-frequency amplifier； stability；
【基金】 国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CBV314901);国家自然科学基金资助项目(60576018);教育部“新世纪人才支持计划”资助项目(NCEN-05-0111);北京市教育委员会共建项目(XK100130637)
  • 【文献出处】 光电子.激光 ,Journal of Optoelectronics.Laser , 编辑部邮箱 ,2008年03期
  • 【分类号】TN722
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】214
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