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两种增强可靠性的电荷泵新结构
Two New Charge Pumps with Improved Reliablity
【摘要】 从器件可靠性角度出发提出两种升压电荷泵新结构.一种不需用高压工艺但是需要三阱工艺,一种既不需高压工艺也不需三阱工艺,可以用普通工艺实现.仿真结果表明电路性能符合理论分析.
【Abstract】 The reliability of the voltage-multiplication charge pump circuit is analyzed.Two new structures of the charge pump are proposed.The first one eliminates thenecessity for a high-voltage process but needs using a triple-well process;the second one can be implemented in a standard process.Simulation showed that the circuit performance is in agreement with the theoretical analysis.
【关键词】 集成电路；
模拟集成电路；
电荷泵；
可靠性；
三阱工艺；
高压工艺；
【Key words】 integrated circuits； analog integrated circuits； charge pump； reliability； the triple well process； the high-voltage process；
【Key words】 integrated circuits； analog integrated circuits； charge pump； reliability； the triple well process； the high-voltage process；
- 【文献出处】 复旦学报(自然科学版) ,Journal of Fudan University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,2008年01期
- 【分类号】TN432
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