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氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备(英文)

ZnO Film Growth and the Fabrication of ZnO-Based Thin Film Transistors

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【作者】马仙梅；杨小天；朱慧超；王超；高文涛；金虎；齐晓薇；高博；付国柱；荆海；马凯；常遇春；杜国同；

【Author】 Ma X.M.1,2,Yang X.T.1,2,3,Zhu H.C.4,Wang C3,Gao W.T.1,2,Jin H1,2,Qi X.W.1,2,Gao B1,2,Fu G.Z.1,2,Jing H1,2,Ma K1,2,Chang Y.C4,Du G.T.41.Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics;2.Graduate School of Chinese Academy of Sciences;3.Jinlin Institute of Architecture Technology;4.Jinlin University

【机构】长春光学精密机械与物理研究所；吉林大学；吉林建筑工程学院；吉林大学中国科学院研究生院；中国科学院研究生院；

【摘要】通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO薄膜是主度的c轴取向。基于ZnO薄膜基础,我们制备了ZnO基薄膜晶体管。更多还原

【Abstract】 The ZnO films were deposited on the substrate of glass by MOCVD.The X-ray diffraction patterns of samples show sharp diffraction peaks ZnO(0 0 2),indicating that the films were highly c-axis oriented.Based on the ZnO film,we fabricated ZnO thin film transistor(ZnO-TFT).更多还原

【关键词】氧化锌；薄膜晶体管； MOCVD；
【Key words】 ZnO thin film； Thin film transistor； MOCVD；

【基金】 NCET(No.05-0326,NSFC (No.60576054,60576043,60576056);Jilin Univresity In-novation Foundation;project of Chang chun science and technology plans with contract number of 2006303;projects of Ministry of Construction;China and Department of Education of Jilin province

【文献出处】电子器件 ,Chinese Journal of Electron Devices , 编辑部邮箱 ,2008年01期

【分类号】TN321.5
【被引频次】4
【下载频次】485

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