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一种基于亚阈值MOS低电压基准源单元电路的设计

The Design of Unit-Circuit of Low-Voltage Reference Source Based on Sub-Threshold MOS

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【作者】 熊元新刘艺峰文康珍

【Author】 XIONG Yuan-xin,LIU Yi-feng,WEN Kang-zhen(Wuhan Univrsity,Wuhan 430072,China)

【机构】 武汉大学电气工程学院武汉大学电气工程学院 武汉430072武汉430072

【摘要】 电压基准作为一个基本的单元电路,在很多电路设计中都占有极其重要的地位。为了满足新型微电子产品对电压基准提出的更高要求,提出了一种基于亚阈值MOS的低电压基准源单元电路,该基准源单元电路采用TSMC0.35μm工艺设计,具有较低的工作电压1.5 V,输出电压基准低达264.5 mV,仿真验证该基准源单元电路温度系数为36 ppm/℃,具有较好的温度系数。对此类器件的设计和研发具有重要意义。

【Abstract】 As a basic unit-circuit,voltage reference is essential in many circuits.To meet the even higher reguirements of new types of microelectronic products for voltage reference,a unit-circuit of low-voltage reference source based on sub-threshold MOS has been developed.This circuit is designed with TSMC 0.35 μm technology and has a lower working-voltage of 1.5 V.And its output voltage reference can be as low as 264.5 mV.Simulation tests prove that its temperature index is 36 ppm/℃,which is a good figure.It is significant in the design and development of this type of apparatus.

【关键词】 电压基准亚阈值CMOS
【Key words】 voltage referencesub-thresholdCMOS
【基金】 国家自然科学基金项目资助(50577046)
  • 【文献出处】 电力学报 ,Journal of Electric Power , 编辑部邮箱 ,2008年02期
  • 【分类号】TN402
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