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Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光

Room Temperature Blue-UV Electroluminescence from ZnO Light-Emitting Diodes Involving Na-Doped p-Type ZnO and ZnO/ZnMgO Multi-Quantum Wells

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【作者】 叶志镇； 林时胜； 何海平； 顾修全； 陈凌翔； 吕建国； 黄靖云； 朱丽萍； 汪雷； 张银珠； 李先杭；

【Author】 Ye Zhizhen,Lin Shisheng,He Haiping,Gu Xiuquan,Chen Lingxiang,Lü Jianguo, Huang Jingyun,Zhu Liping,Wang Lei,Zhang Yinzhu,and Li Xianhang(State Key Laboratory of Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China)

【机构】 浙江大学硅材料国家重点实验室；

【摘要】 在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.

【Abstract】 Using ZnO/Zn0.9Mg0.1O multi-quantum wells as active layer and Na as acceptor dopant of ZnO,we fabricate ZnO light-emitting diode(LED)on silicon substrate.We observe strong blue-violet emission and negligible defect emission from this device under low current injection at room temperature.This work could have significant impact on the practical application of ZnO LED.

【关键词】 LED； Na掺杂； p型ZnO； ZnO/ZnMgO多量子阱；
【Key words】 LED； Na doped； p-type ZnO； multi-quantum wells；
【基金】 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906);国家自然科学基金(批准号:批准号:50532060)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2008年08期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】15
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