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应变硅电子迁移率解析模型(英文)
An Analytical Model of Electron Mobility for Strained-Si Channel nMOSFETs
【摘要】 提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及〈100〉/〈110〉方向单轴应力,沟道方向为〈100〉/〈110〉的器件;易于嵌入常用仿真工具中.
【Abstract】 An analytical model of electron mobility for strained-silicon channel nMOSFETs is proposed in this paper.The model deals directly with the strain tensor,and thus is independent of the manufacturing process.It is suitable for 〈100〉/〈110〉 channel nMOSFETs under biaxial or 〈100〉/〈110〉 uniaxial stress and can be implemented in conventional device simulation tools.
【关键词】 应变硅；
电子迁移率；
解析模型；
n型场效应管；
单轴应力/应变；
【Key words】 Strained-Si； electron mobility； analytical model； nMOSFET； uniaxial stress/strain；
【Key words】 Strained-Si； electron mobility； analytical model； nMOSFET； uniaxial stress/strain；
【基金】 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB302705)~~
- 【文献出处】 半导体学报 ,Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2008年05期
- 【分类号】TN301
- 【被引频次】6
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