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高功率半导体激光器的m值与器件质量的相关性

Relationship Between m and Quality of High Power Semiconductor Lasers

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【作者】 梁庆成石家纬曹军胜刘奎学郭树旭李红岩胡贵军

【Author】 LIANG Qieng-cheng,SHI Jia-wei,CAO Jun-sheng,LIU Kui-xue,GUO Shu-xu,LI Hong-yan,HU Gui-jun(National Joint Lab.for Integrated Opto-Electronics,College of Electronic Science and Engnieering,Jilin University,Changchun 130012,CHN)

【机构】 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家联合重点实验室

【摘要】 用电导数技术测量了高功率半导体激光器及阵列激光器的m值,讨论了影响m值大小的因素及与器件质量的相关性。结果表明,m值是器件质量和可靠性的重要标志之一,对于同种器件,质量好的器件的m值一定在某范围之内。对取值范围进行了讨论。

【Abstract】 The values of m of some laser diodes and laser diode arrays were measured with electronic derivative measurement.The relationship between m and the quality of device is discussed.The results show that the value of m is an important parameter in indicating the quality and reliability of device.For a certain kind of device,m value of any one with a good quality certainly should be within some range and the range for different devices was discussed.

【关键词】 半导体激光器理想因子m质量
【Key words】 semiconductor laserideality factor mquality
【基金】 国家自然科学基金项目(60471009);吉林省重大工程项目(200403001-4);长春市科技局国际合作项目(06GH06)
  • 【文献出处】 半导体光电 ,Semiconductor Optoelectronics , 编辑部邮箱 ,2008年06期
  • 【分类号】TN248.4
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】155
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