节点文献

BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3复合磁电薄膜生长及应力研究

Growth and Interfacial Strain of BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3 Magnetoelectric Multilayers

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 周立勋朱俊黄文张鹰李言荣罗文博

【Author】 Zhou Lixun,Zhu Jun*,Huang Wen,Zhang Ying,Li Yanrong,Luo WenboUniversity ofElectronics Science and Technology ofChina,State Key LaboratoryofElectronic Thin Films andIntegrated Devices,Chengdu610054,China

【机构】 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054成都610054

【摘要】 用激光分子束外延(LMBE)设备,在SrTiO3(001)基片上外延生长BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3多层复合磁电薄膜结构。通过反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜生长过程进行原位监测,结果显示,随着CoFe2O4厚度的增加薄膜内应力逐渐被释放,并且应力释放的过程导致了薄膜生长模式的变化。高分辨X射线衍射(XRD)发现,随着CoFe2O4厚度的增加,CoFe2O4对BaTiO3薄膜的张应力逐渐增大,BaTiO3晶胞的c轴晶格常数逐渐变小。理论计算给出了BaTiO3面外晶格常数c随CoFe2O4沉积时间的变化规律。原子力显微镜(AFM)对表面形貌进行表征,进一步证明了复合薄膜生长模式的变化。

【Abstract】 Growth of BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3 magnetoelectric multilayers on SrTiO3 substrate by laser molecular beam epitaxy(LMBE) was monitored in-situ with reflection high energy electron diffraction(RHEED).The microstructures of the multilayer were characterized with high resolution X-ray diffraction(XRD) and atomic force microscopy(AFM).The results show that as the thickness of CoFe2O4 layer increases,the interfacial stress gradually relaxes,resulting in changes of film growth mode;in contrast,the strain on BaTiO3 exerted by CoFe2O4 slowly increases,leading to a shrink of c-axis of the BaTiO3 unit cell.The variations in the c-axis with deposition time of CoFe2O4 were also calculated.AFM images confirm the change in the growth mode.

【关键词】 磁电薄膜界面应力RHEED生长模式
【Key words】 Magnetoelectric filmInterfacial strainRHEEDGrowth mode
【基金】 杰出青年基金资助项目(No.50425207)
  • 【文献出处】 真空科学与技术学报 ,Chinese Journal of Vacuum Science and Technology , 编辑部邮箱 ,2007年05期
  • 【分类号】O484
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】298
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络