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利用CPLD实现对TH58NVG1S3A控制的研究

Research of Using CPLD to control TH58NVG1S3A

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【Author】 YAN HAIXIAO RUAN JIN(Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Science,Changchun 130033, China)(Graduate School of Chinese Academy of Science, Beijing100039, China)

【机构】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所；中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 130033长春中国科学院研究生院100039北京； 130033长春；

【摘要】文中介绍了东芝公司的2Gbits NAND闪存芯片——TH58NVG1S3A的基本结构,阐述了如何利用CPLD芯片——ispLSI1032E对其进行控制,并且给出了部分软件流程。更多还原

【Abstract】 In this paper, the basic architecture of the TOSHIBA 2Gbits NAND FLASH device--TH58NVG1S3A is introduced. Talk about how the CPLD device--ispLSI 1032E controls TH58NVG1S3A, and give some software flow.更多还原

【关键词】 NAND闪存；软件流程； CPLD；
【Key words】 NAND FLASH； software flow； CPLD；

【基金】中科院科研资助项目(X04Q01Z)

【文献出处】微计算机信息 ,Microcomputer Information , 编辑部邮箱 ,2007年32期

【分类号】TN791;TN389
【被引频次】2
【下载频次】22

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