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PdSi合金与金属Cr膜压痕蠕变研究
Study on Indentation Creep Behavior of Single Crystal PdSi and Cr Thin Film
【摘要】 蠕变变形是薄膜和微机电系统应用中普遍存在的可靠性问题,因此有必要考察薄膜材料和小体积材料的蠕变行为。采用深度敏感纳米压痕方法对单晶PdSi合金和金属Ni基体上沉积Cr膜进行了室温压痕蠕变研究,分析蠕变应力指数和蠕变机制。结果表明:随硬度减小,蠕变深度增大,在不同应变率下计算得出应力指数PdSi合金在26.3~47.1之间;金属Cr膜在4.1~22.5之间。蠕变变形机制是位错的滑动和攀移,在高应变率下保载阶段瞬时影响更显著。
【Abstract】 Creep deformation is a ubiquitous reliability problem in thin film and micro-electromechanical systems applications,so investigation of the creep behavior of film materials and small volumes of materials is necessary.The creep behavior of single crystal PdSi and Cr thin film on Nickel substrate prepared by magnetron sputtering were studied using the depth-sensing indentation method at room temperature,the stress exponents and the corresponding creep mechanism were also analyzed.
【关键词】 压痕蠕变；
PdSi合金；
金属Cr膜；
应力指数；
位错攀移；
【Key words】 indentation creep； single crystal PdSi； Cr thin film； stress exponent； dislocation climb；
【Key words】 indentation creep； single crystal PdSi； Cr thin film； stress exponent； dislocation climb；
【基金】 国家自然科学基金资助(90406024);国家863计划资助(2006AA03Z435)
- 【文献出处】 实验室研究与探索 ,Research and Exploration in Laboratory , 编辑部邮箱 ,2007年10期
- 【分类号】TG115
- 【被引频次】8
- 【下载频次】109