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新型高Q值U形缺陷地结构带阻滤波器

Novel high-Q band stop filter by using U-slot DGS

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【Author】 TIAN Ming1, ZHANG You-jun1, ZHANG Sheng2, ZHANG Ling1 (1. School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China; 2. Dept of Electronic Engineering and Information Science; University of Science and Technology of China, Hefei 230027, China)

【机构】郑州大学信息工程学院；中国科学技术大学电子工程与信息科学系；郑州大学信息工程学院河南郑州450052；河南郑州450052；安徽合肥230027；

【摘要】提出了一种新型的U形缺陷地结构(DGS)单元,该单元可以用来设计高Q值带阻滤波器。减小U形DGS结构两臂的槽宽及槽之间的距离,或在U形槽内加上贴片,可以增大Q值。最后用三个级联的U型DGS结构设计了一个高Q值的带阻滤波器,实验结果表明所设计的滤波器的Q值为35.3。更多还原

【Abstract】 A new defected ground structure (DGS) in the microstrip line was presented for the use in the design of high-Q band-stop filter. The Q factor increases rapidly when the slot width and the distance between the two slots decrease, or the conductor patch is embedded within the slots. By employing three cascaded U-slot DGS, a high-Q band-stop filter was designed and fabricated. Experimental result shows that the Q factor of the band-stop filter with three U-slot DGS is 35.3.更多还原

【关键词】电子技术；缺陷地结构； Q值；带阻；微带线；滤波器；
【Key words】 electron technology； DGS； Q factor； band-stop； microstrip line； filter；

【基金】河南省自然科学基金资助项目(0511011200)

【文献出处】电子元件与材料 ,Electronic Components and Materials , 编辑部邮箱 ,2007年11期

【分类号】TN713
【被引频次】4
【下载频次】301

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