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一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制

Fabrication of a High-Performance RTD on InP Substrate

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【作者】 齐海涛冯震李亚丽张雄文商耀辉郭维廉

【Author】 Qi Haitao1,2,,Feng Zhen2,Li Yali2,Zhang Xiongwen2,Shang Yaohui2,and Guo Weilian1,2(1 School of Electronic Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China)(2 The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China)

【机构】 天津大学电子信息工程学院中国电子科技集团公司第十三研究所天津大学电子信息工程学院 天津300072石家庄050051天津300072

【摘要】 设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,研制出了具有优良负阻特性和较高阻性截止频率的InP基RTD单管.器件正向PVCR为17.5,反向PVCR为28,峰值电流密度为56kA/cm2,采用RNC电路模型进行数据拟合后得到阻性截止频率为82.8GHz.实验为今后更高性能RTD单管的研制,以及RTD与其他高速高频三端器件单片集成电路的设计与研制奠定了基础.

【Abstract】 InGaAs/AlAs RTD material structure on InP substrate is designed and grown by molecular beam epitaxy.A device with good negative differential resistance characteristics and a higher resistive cutoff frequency is fabricated using mesa isolation,metal lift-off,wet chemical etch,and air bridge technologies.The forward bias peak-to-valley current ratio (PVCR) and reverse bias PVCR are about 17.5 and 28,respectively.The peak current density is 56kA/cm2,and the data fitting resistive cutoff frequency using an RNC circuit model is 82.8GHz.The experiment lays a foundation for the design and fabrication of high-performance RTD and monolithic integration circuits of RTD and other high speed and high frequency three terminal devices.

【基金】 国防科技重点实验室基金(批准号:9140C060203060C0603);中国博士后科学基金(批准号:20060400189)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2007年12期
  • 【分类号】TN31
  • 【下载频次】80
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