基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器-中国学术期刊网络出版总库

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基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器

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【英文篇名】	A Monolithic Integrated Long-Wavelength Tunable Photodetector Based on a Low Temperature Buffer Layer
【下载频次】	★★
【作者】	吕吉贺; 黄辉; 任晓敏; 苗昂; 李轶群; 王睿; 黄永清; 王琦;
【英文作者】	Lü Jihe; Huang Hui; Ren Xiaomin; Miao Ang; Li Yiqun; Wang Rui; Huang Yongqing; and Wang Qi(Key Laboratory of Optical Communication and Lightwave Technologies of MEC; Beijing University of Posts and Telecommunications; Beijing 100876; China);
【作者单位】	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室; 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室北京;
【文献出处】	半导体学报 , Chinese Journal of Semiconductors, 编辑部邮箱 2007年 11期期刊荣誉：ASPT来源刊中国期刊方阵 CJFD收录刊
【中文关键词】	异质外延; 可调谐; 光电探测器;
【英文关键词】	heteroepitaxy; tunable; photodetector;
【摘要】	实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53Ga0.47As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz.
【英文摘要】	We demonstrate a tunable long-wavelength photodetector by using a heteroepitaxy growth of an InP-In0.53Ga0.47-As-InP p-i-n structure on a GaAs-based GaAs/AlAs Fabry-Perot filter structure.High quality heteroepitaxy is realized by employing a thin low-temperature buffer layer,which is carried out in a series of experiments.A wavelength tuning range of 10.0nm,an external quantum efficiency of about 23%,a spectral linewidth of 0.8nm,and a 3dB bandwidth of 6.2GHz are simultaneously obtained in the device.
【基金】	国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314901); 国家自然科学基金(批准号:60576018,90601002); 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z416)资助项目~~
【更新日期】	2007-11-27
【分类号】	TN36
【正文快照】	1引言具有波长选择性的可调谐光探测器是波分复用(WDM)光纤通信系统的关键器件之一[1~6].目前为止报道的可调谐探测器中,要么所选波长的谱线太宽(>4nm)[1~5],要么调谐范围太窄(<6nm)[6].另外,对于具波长选择性的光探测器来说,需要有能够和衬底材料晶格匹配的,同时又具有很大折?

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