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一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究
Development and Applications of A New Si Electron Beam Evaporator
【摘要】 我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的问题。电子束蒸发器的性能试验表明 ,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流。应用这种电子束蒸发器可以在 70 0℃ ,成功沉积出平整的单晶Si薄膜。进一步的试验表明 ,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点。
【Abstract】 A novel type of silicon electron beam evaporator has been successfully developed and applied to the growth of Ge/Si(111) quantum dots.The cantilever-type of design effectively prevents high voltage discharge.Steady Si beam can easily be obtained at a constant power output.We found that the epitaxial Si buffer layers,grown on Si(111) at a substrate temperature of 700 ℃,favorably affect the growth of Ge quantum dots by self-organization
【关键词】 电子束蒸发器；
Si单晶薄膜；
Ge量子点；
原子力显微镜(AFM)反射高能电子衍射(RHEED)；
【Key words】 Electron beam evaporator； Si film； Ge quantum dots； Atom force microscope(AFM)； Reflection high energy electron diffraction(RHEED)；
【Key words】 Electron beam evaporator； Si film； Ge quantum dots； Atom force microscope(AFM)； Reflection high energy electron diffraction(RHEED)；
【基金】 中国科学院知识创新工程资助课题
- 【文献出处】 真空科学与技术学报 ,Chinese Journal of Vacuum Science and Technology , 编辑部邮箱 ,2005年01期
- 【分类号】O471
- 【被引频次】14
- 【下载频次】126