节点文献

电-声相互作用对多层低维系统I-V特性的影响

The Influence to the I-V peculiarty of multi-layer low-dimnesional semiconductor system including electron-phonon coupling

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 LI Na,QU Ye,CAI Min(Dept.of Applied Physics,South China Univ.of Tech.,Guangzhou 510640,China)

【机构】华南理工大学物理科学与技术学院；华南理工大学物理科学与技术学院广东广州510640；广东广州510640；

【摘要】采用紧束缚方法对多层低维半导体系统在有电子与声子作用情况下的I-V特性进行了研究.对计算结果进行分析后,探讨了将此系统应用到集成电路中所产生的影响.更多还原

【Abstract】 The I-V peculiarty of muli-layer low-dimensional semicaonductor system including electron-phonon coupling intraction are investigated with the tight-binding method.After our results are assayed,the impact are discussed if the IC are made from the structure.更多还原

【关键词】共振隧穿；势阱；击穿；哈密顿量；
【Key words】 resonance tunneling； the electron-phonon interaction； tight-binding； Hamiltonian；

【文献出处】云南大学学报(自然科学版) ,Journal of Yunnan University (Natural Sciences) , 编辑部邮箱 ,2005年S2期

【分类号】O472
【下载频次】32

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献