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量子点红外探测器的特性与研究进展

The properties and development of quantum-dot infrared photodetectors

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【作者】 张冠杰舒永春姚江宏舒强邓浩亮贾国治王占国

【Author】 ZHANG Guan-Jie SHU Yong-Chun YAO Jiang-Hong SHU Qiang DENG Hao-Liang JIA Guo-Zhi WANG Zhan-Guo (Quantum Materials and Devices Lab, Department of Physics, Nankai University, Tianjin 300457, China )

【机构】 南开大学物理科学学院量子材料与器件研究室南开大学物理科学学院量子材料与器件研究室 天津300457天津300457天津300457

【摘要】 半导体材料红外探测器的研究一直吸引人们非常广泛的兴趣.以量子点作为有源区的红外探测器从理论上比传统量子阱红外探测器具有更大的优势.文章讨论了量子点红外探测器几个重要的优点,包括垂直入射光响应、高光电导增益、更低的暗电流、更高的响应率和探测率,等等.此外,报道了量子点红外探测器研究中一些最新的实验结果.在此基础上,分析了现存问题,并提出了进一步提高器件性能的几种可能途径.

【Abstract】 There is great interest in semiconductor infrared detectors with improved performance. Quantum dot infrared photodetectors (QDIPs) ideally have several advantages over quantum well infrared photodetectors. We discuss the theoretical advantages of QDIPs including their normal incidence response, lower dark current, higher responsivity and detectivity, etc. The newest experimental results in this area are also reported. Finally we point out some approaches that can further improve the capabilities of such devices.

【基金】 国家自然科学基金(批准号:60476042)资助项目
  • 【分类号】TN215
  • 【被引频次】14
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