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有机场效应晶体管材料及器件研究进展

Recent advance in organic field-effect transistors: materials, devices, and processes

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【作者】 刘承斌范曲立黄维王迅

【Author】 LIU Cheng-Bin FAN Qu-Li HUANG Wei  WANG Xun (Institute of Advanced Materials, Fudan University, Shanghai 200433, China)

【机构】 复旦大学先进材料研究院复旦大学先进材料研究院 上海200433上海200433上海200433

【摘要】 有机场效应晶体管(organic fieldeffect transistor,OFET)作为新一代半导体晶体管因其广阔的应用前景和近年来技术上的突飞猛进,使之成为微电子和信息领域科学研究和产品开发中热门的话题之一.文章概述了有机场效应晶体管的材料研究、器件制备技术以及有机场效应晶体管在各领域中应用的最新进展.

【Abstract】 Organic field-effect transistor (OFET) as a new generation of transistors has been importantly considered due to his potential applications and breakthrough of technologies in the field of microelectronics and information. The shifted focus in research is from novel chemical structures to fabrication technologies. Progress in the growing field of OFETs is being discussed in detail.

【基金】 中国博士后基金 (批准号: 2003034285 );上海市科委光科技项(批准号: 2F5B)资助项目
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】43
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