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Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

Beating patterns in the oscillatory magnetoresistance of a Si modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure

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【Author】 Yao Wei 1) Qiu Zhi-Jun 1) Gui Yong-Sheng 1) Zheng Ze-Wei 2) Lü Jie 2) Tang Ning 2) Shen Bo 2) Chu Jun-Hao 1) 1) (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) 2) (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China)

【机构】中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室；南京大学物理系；中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083；上海200083；南京210093；上海200083；

【摘要】在低温 (1 5K— 2 5K)和强磁场 (0— 10T)条件下 ,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂AlGaN GaN异质结构进行磁输运测量 .在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象 .根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式 ,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的 .更多还原

【Abstract】 Magneto-transport measurements have been carried out on a Si modulation-doped Al 0.22 Ga 0.78 N/GaN heterostructure in a temperature range between 1.5 and 25 K under magnetic field up to 10T. Striking beating patterns in magnetoresistance vs magnetic field are observed in the vicinity of a specific temperature. Theoretical simulation is performed and the comparison between numerical simulations and the experimental data reveals that the beating patterns are due to the interference of the magneto-intersubband scattering and the SdH oscillator of first subband.更多还原

【关键词】 AlGaN/GaN异质结构； SdH振荡；磁致子带间散射；磁阻拍频；
【Key words】 AlGaN/GaN heterostructure； SdH oscillator； magneto-intersubband scattering； beating patterns；

【基金】国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :0 0 1CB3 0 95 0 6 2 )资助的课题 .~~

【文献出处】物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2005年05期

【分类号】O474
【被引频次】2
【下载频次】110

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