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SEU的二维数值模拟

Two Dimension Value Simulation of SEU

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【作者】 宋哲王莉陆剑侠许仲德

【Author】 SONG Zhe,WANG Li,LU Jian -xia,et al (Physics Department, Liaoning University,Shenyang 110036, China; Northeast Microelectronics Institute,Shenyang 110032,China)

【机构】 辽宁大学物理系东北微电子研究所东北微电子研究所 沈阳 110036沈阳 110036沈阳 110032沈阳 110032

【摘要】 本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍。运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single -Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性。

【Abstract】 This paper elaborates the principle of SEU and the mechanism of damnify. The software of MEDICI is introduced. By MEDICI, simulation experiments about CMOS SRAM were conducted on body silicon and SOI (Silicon - On - Insulator) material. The experimental results were obtained and analyzed, they prove SOI material with good and -irradiation harden characteristic, embody the superioirity.

【关键词】 SEU模SOI抗辐射
【Key words】 SEUSimulationSOIIrradiation
  • 【分类号】TP391.9
  • 【被引频次】3
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