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Si（100）衬底上取向生长La_0.8Sr_0.2MnO₃（110）薄膜

La_0.8Sr_0.2MnO₃（110） Thin Films Grown on Si（100） Substrate

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【Author】 LIANG Bao-long 1) ZHANG Li 2) ZHAO Kun 1)( 1)School of Physics Science and Information Engineering, Liaocheng University, Liaocheng 252059,China; 2)Liaocheng University, Liaocheng 252059,China)

【机构】聊城大学物理科学与信息工程学院；聊城大学；聊城大学物理科学与信息工程学院山东聊城252059；山东聊城25205；山东聊城252059；

【摘要】利用对向靶磁控溅射方法在Φ60mmSi(100)衬底上得到了择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜.当沉积温度为500℃时,在40nm缓冲层SrMnO3上,La0.8Sr0.2MnO3薄膜沿(110)取向生长.提高沉积温度到750℃时,厚度为12nm的SrMnO3缓冲层就可以实现La0.8Sr0.2MnO3薄膜的(110)取向择优生长.更多还原

【Abstract】 La0.8Sr0.2MnO₃ thin film with a preferential （110） orientation was obtained on Si （100） substrates by facing-target sputtering technique. It was found that the La0.8Sr0.2MnO₃ （110） film was shown when SrMnO3 （40 nm） buffer layers grown at 500 ℃. The （110） preferential orientation of La0.8Sr0.2MnO₃ can be realized when the SrMnO₃ （12 nm） buffer layer is grown at 750 ℃.更多还原