含磁性非磁性金属插入层磁隧道结的隧穿特性研究-中国学术期刊网络出版总库

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含磁性非磁性金属插入层磁隧道结的隧穿特性研究

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【英文篇名】	Study on Tunneling Characters of Magnetic Tunneling Junctions in Magnetic and Nonmagnetic Inserted Layers
【下载频次】	★★
【作者】	王文梁; 李玲; 谢征微;
【英文作者】	WANG Wen-liang; LI Ling; XIE Zheng-wei (Department of Physics; Sichuan Normal University; Chengdu 610066; Sichuan);
【作者单位】	四川师范大学物理系; 四川师范大学物理系四川成都610066; 四川成都610066; 四川成都;
【文献出处】	四川师范大学学报(自然科学版) , Journal of Sichuan Normal University(Natural Science), 编辑部邮箱 2005年 02期期刊荣誉：ASPT来源刊中国期刊方阵 CJFD收录刊
【中文关键词】	磁性隧道结; 隧穿电导; 隧穿磁电阻;
【英文关键词】	Magnetic tunnel junctions; Tunneling electric conductance; Tunneling magnetic resistance;
【摘要】	讨论了一种新型FM1/NM/FM/I/FM2磁性隧道结,该隧道结结构可获得高质量的I层,从而具有重要的应用价值.利用Slonezewski的自由电子模型和转移矩阵方法,对这种隧道结中的隧穿电导(TC)和隧穿磁电阻(TMR)与NM、FM层的厚度以及和势垒高度的关系进行了研究.同时还通过和FM1/NM/I/FM2型隧道结的相应结果的比较讨论了FM层在FM1/NM/FM/I/FM2磁性隧道结中的作用.
【英文摘要】	In this paper, a new kind of magnetic tunneling junction FM1/NM/FM/I/FM is discussed theoretically. This structure ensures the high quality of the insulator layer, so it has important practical application. Based on the Slonezewski's free electron model and transferred matrix method, the relation between tunneling conductance(TC), tunneling magnetic resistance(TMR) and the thickness of NM, FM and the height of the barrier are discussed. In addition, the further discussions about the effects of the FM layer ...
【基金】	教育部科学研究重点资助项目
【更新日期】	2005-08-19
【分类号】	O482.5
【正文快照】	由于磁性隧道结具有大隧穿磁电阻(TMR)、灵敏度高及耗能小的特点,因而在传感器和磁记录读写器件方面有重要的应用.另外,TMR来源于自旋极化电子的隧道效应,对磁性隧道结的研究也有助于了解自旋极化电子的隧穿机制及隧道效应本身.所以,该领域近年来一直受到人们的极大关注[1?

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